Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KF5N60D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KF5N60D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 59.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 600

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KF5N60D (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 16

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 60

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.7

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KF5N60F , KF5N60I , KF5N60P , KF6N60F , KF6N60I , KF7N65P , KHB4D0N80P1 , KHB5D0N50P , KHB9D0N90P1 , KMB035N40DC , KU390N10P , KMB8D0P30QA , KTK951S , KHB011N40P1 , KTK597TV , KTK697TV , SE3400 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved