Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KF3N40W - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KF3N40W

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 400

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 1.2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KF3N40W (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 11

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 26

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 2.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT223

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KF3N50DS , KF3N50FS , KF3N50FZ , KF3N60I , KF3N60P , KF5N50D , KF7N65F , KF9N25D , KHB4D0N65F , KHB4D5N60F , KHB9D0N90NA , KHB9D5N20P , KMB012N30QA , KMB6D0DN35QB , KU2307D , KU2311K , KTK597E ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved