Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KMD7D5P40QA - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KMD7D5P40QA

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KMD7D5P40QA (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 20

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 240

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.024

WYTWÓRCA:

CIAŁO: FLP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KMD9D0DN30QA , KML0D4N20V , KU035N06P , KU310N10D , KU310N10P , KF12N68F , KF4N80F , KF5N50FSA , KF7N50F , KF7N65P , KHB3D0N90P1 , KHB4D0N80F1 , KHB4D0N80P1 , KHB5D0N50F , KHB8D8N25F2 , KHB9D0N50P1 , KU2303Q ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved