Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KMB6D0DN30QA - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KMB6D0DN30QA

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KMB6D0DN30QA (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 11.6

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 111

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.024

WYTWÓRCA:

CIAŁO: FLP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KMB6D0DN35QA , KMB6D6N30Q , KMB7D0DN40Q , KMB7D0NP30QA , KMB7D1DP30QA , KF15N50N , KF12N60P , KF1N60I , KF4N20LD , KF5N50D , KF7N50D , KF7N60F , KF7N65F , KF8N60F , KHB2D0N60F , KHB3D0N70P , KHB8D8N25F ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved