Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KMA4D5P20X - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KMA4D5P20X

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 12

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KMA4D5P20X (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 32

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.049

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSOP6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KMA4D5P20XA , KMA6D5P20Q , KMA7D0NP30Q , KMB014P30QA , KMB030N30D , KMB060N60FA , KF13N60N , KTK920BU , KF10N60P , KF12N68F , KF3N80F , KF4N65F , KF4N80F , KF5N50F , KF5N60I , KF6N60D , KHB1D9N60I ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved