Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEU6861 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEU6861

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 31

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEU6861 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 4

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 65

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.132

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEU95P04 , 2N7000K , 2N7002KA , KTK5131E , KTK5131S , KTK5162S , KMB060N40BA , KMB3D5N40SA , KMB8D0P30Q , KF15N50N , KF10N60F , KF11N50P , KF12N60P , KF16N50F , KF3N50FS , KF3N60F , KF5N60FZ ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved