Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CES2301 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CES2301

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CES2301 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 8

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 90

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.1

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT23

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CES2303 , CES2307 , CES2307A , CES2317 , CES2321 , CET9435A , KTK5134S , KF80N08F , KMB050N60P , KMB060N60FA , KMB7D6NP30Q , KMC7D0CN20CA , KF13N60N , KTK919S , KML0D4N20V , KU086N10P , KF3N50DZ ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved