Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEM4201 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEM4201

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEM4201 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 6

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 220

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.028

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEM4207 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4953H , CEM6601 , CEM9435A , CET6861 , CEU20P10 , KTK5132E , KTK5162S , KMB035N40DB , KMB054N40DB , KMB060N40BA , KMB2D0N60SA , KMB6D6N30Q , KMB7D0NP30Q , KML0D3P20V ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved