Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDG6301N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDG6301N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.3

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 25

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.22

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDG6301N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 4

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SC706

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDG6302P , FDG6304P , FDN335N , FDN339AN , FDN340P , FDP5680 , FDS6570A , FDS6670A , FDS9412 , FDT459N , FK14VS-10 , FK16SM-5 , FK16UM-5 , FK18SM-10 , FK25SM-6 , FK7SM-12 , FRF250R ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved