Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CES2314 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CES2314

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.3

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CES2314 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 3

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 182

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.05

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOT23

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CES2316 , CES2324 , CES2342 , CET3055L , CET3252 , CEB14P20 , CEH2321A , CEM2401 , CEM6861 , CEM9435A , CES2321A , CET4435A , CET6861 , CEU12P10 , 2N7000K , KTJ6164S , KMA5D8DP20Q ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved