Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEM3109 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEM3109

Technologia: MOSFET

Rodzaj: NP

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 10(8)

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEM3109 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 6

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 170(255)

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.014(0.02)

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SO8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEM3120 , CEB10N65 , CEB12N65 , CEF12N65 , CEH8205 , CEM3128 , CEM8208 , CEM9926A , CEU4269 , CEB14P20 , CEF14P20 , CEH2313 , CEH2321A , CEM2187 , CEM4311 , CEM4953A , CES2305 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved