Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CED840A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CED840A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 107

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 7.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CED840A (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 5

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 125

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.85

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CED84A4 , CED93A3 , CEDF634 , CEG2288 , CEG8205A , CEK01N6G , CES2336 , CEM3252L , CEM6600 , CEM8809 , CET6426 , CEA6861 , CEB12P10 , CEB20P10 , CED3423 , CED6601 , CEM4301 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved