Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CED3120 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CED3120

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 33

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 36

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CED3120 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 7

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 215

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.015

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CED3172 , CED4060A , CED4060AL , CED540N , CED55N10 , CED655 , CEU830G , CEU93A3 , CEH2288 , CEK01N6G , CEM2539 , CEP10N65 , CES2336 , CEM3178 , CEM6086 , CEM6186 , CES2320 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved