Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEFF640 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEFF640

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 40

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 19

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEFF640 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 5

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 355

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.18

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEPF634 , CEU01N65 , CEU01N65A , CEU02N65G , CEU02N6A , CEU04N7G , CED6426 , CEU25N15L , CEU655 , CEU83A3 , CEG8208 , CEH2609 , CEK01N65A , CEM0215 , CEB10N65 , CEF10N65 , CEM6056 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved