Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEP84A4 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEP84A4

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 71

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 90

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEP84A4 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 10

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 385

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0051

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEP85A3 , CEP85N75V , CEP9060N , CED01N65 , CED01N65A , CED02N7G-1 , CEU04N65 , CEU12N10 , CED6060N , CED655 , CEU6426 , CEU740A , CEU830G , CEU84A4 , CED93A3 , CEE02N6G , CEA3252 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved