Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEB75N06 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEB75N06

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 75

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEB75N06 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 5.5

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 735

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.012

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEB75N06G , CEB80N15 , CEB830G , CEB840G , CEB840L , CEP73A3G , CED02N7G , CED04N7G , CEU02N7G , CEU04N7G , CED6056 , CED630N , CED6426 , CEU16N10L , CEU55N10 , CEU6186 , CED85A3 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved