Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEP4060AL - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEP4060AL

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 43

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 17

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEP4060AL (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 7

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 120

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.075

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEP45N10 , CEP540L , CEP540N , CEP6060L , CEP6060N , CEF740A , CEP730G , CEP75N06G , CED01N7 , CED02N7G-1 , CEU02N6G , CEU03N8 , CEU04N65 , CEU07N65A , CED4060A , CED540L , CEU540N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved