Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FDC6305N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FDC6305N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.9

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.7

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FDC6305N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.08

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SuperSOT6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FDC6306P , FDC633N , FDC634P , FDC640P , FDC6506P , FDD5690 , FDP4030L , FDP6035L , FDS4435A , FDS6575 , FDS8947A , FDS9936A , FDT457N , FDV303N , FK14KM-10 , FK14SM-9 , FK25SM-5 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved