Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEP1186 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEP1186

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 166

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 800

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEP1186 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 46

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 152

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 2.3

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEB1195 , CEP1195 , CEB21A2 , CEB3205 , CEB4060A , CEB6056 , CEF730G , CEF840G , CEB85A3 , CEP73A3G , CED01N6G , CED02N6A , CED02N7G , CED04N6 , CEU01N65 , CEU02N65A , CED3252 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved