Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEB13N10L - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEB13N10L

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 65

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 12.8

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEB13N10L (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 4

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 90

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.175

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEP13N10L , CEP13N10 , CEB14N5 , CEP13N5 , CEB12N5 , CEB10N4 , CEB6042 , CEB60N10 , CEP6086L , CEF740A , CEB84A4 , CEB9060N , CEP730G , CEP75A3 , CEP85N75V , CEBF640 , CEPF640 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved