Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEP02N7G - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEP02N7G

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 60

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 700

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEP02N7G (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 12.5

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 55

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 6.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEP02N9 , CEP04N6 , CEP04N65 , CEP07N65 , CEP07N65A , CEB20A03 , CEP10N4 , CEP10N6 , CEB45N10 , CEB6056 , CEP6086 , CEP6186 , CEF730G , CEF830G , CEB80N15 , CEB840A , CEP85N75 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved