Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

CEB02N9 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: CEB02N9

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 900

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.6

Ograniczenie temperatury (Tj): 175

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora CEB02N9 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 34

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 70

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 6.8

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO263

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: CEB03N8 , CEB04N65 , CEB04N7G , CEB07N65A , CEB07N7 , CEF04N6 , CEP08N8 , CEP15A03 , CEF13N5 , CEB10N4 , CEB4060AL , CEB540N , CEB6042 , CEB6086L , CEP540L , CEP6056 , CEB75N10 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved