Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

WTD9973 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: WTD9973

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 27

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 14

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora WTD9973 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 15

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 77

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.08

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO252

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: WTG3043 , WTK4228 , WTK4424 , WTK6680 , WTK9410 , WTN9575 , CEF03N8 , CEF07N65 , CEB13N5A , CEB20A03 , CEF12N5 , CEF12N6 , CEP10N4 , CEB10N6 , CEP1195 , CEB3120 , CEP50N10 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved