Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSPS924NE - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSPS924NE

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9.2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSPS924NE (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 14

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 145

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.012

WYTWÓRCA:

CIAŁO: DFN3X38PP

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSU50N10 , STT2605 , STT3402N , STT3457P , STT3458N , STT3810N , 8N60P , WTC2305 , WTK9435 , WTN9575 , CEF02N65A , CEF02N7G , CEF03N8 , CEF05N65 , CEP04N6 , CEP06N7 , CEB13N10 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved