Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSG4902NA - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSG4902NA

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.1

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 6.4

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSG4902NA (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 8

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.041

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSG4910N , SSG4930N , SSG4932N , SSG4940NC , SSG4942N , SSG9435BDY , SSPS7331P , SSRF30N20-400 , STT3470N , STT3810N , 2SK3541M , 4N60P , 8N60P , WTC2301 , WTK4228 , WTK6679 , CEB04N6 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved