Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SSG4435 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SSG4435

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2.5

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 8

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SSG4435 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 23.8

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 194

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.02

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SOP8

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SSG4436N , SSG4463P , SSG4470STM , SSG4499P , SSG4501 , SSG4530C , SSG9435 , SSM0410 , SSP7464N , SSPS7332N , STT3463P , STT3520C , STT3599C , STT3962NE , 2N60D , 2N7002KT , WTK4224 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved