Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

F5029 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: F5029

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 38

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 18

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora F5029 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.07

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: F5030 , F5032 , F5033 , FB180SA10 , FBD5680 , FDB6035AL , FDD5680 , FDD6680A , FDN358P , FDP5680 , FDS4435 , FDS5690 , FDS6570A , FDS6614A , FDS6975 , FDS8926A , FK10VS-9 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved