Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SMG5409 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SMG5409

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.38

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.6

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SMG5409 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 5

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 91

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.12

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SC59

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SMS318 , SMS840 , SSD02N65 , SSD20N06-90D , SSD20N10-250D , SSD30N10-50D , SSF1331P , SSG4228 , SSG4502CE , SSG4530C , SSG4953 , SSG6612N , SSG9435 , SSG9575 , SSP7434N , SSP7442N , STT2604 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved