Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

SID05N10 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: SID05N10

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 20

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora SID05N10 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 9.4

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 38

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.17

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO251

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SID10N30-600I , SID3055 , SID40N03 , SJV01N60 , SMG1330N , SMG2306A , SMG2358N , SMG2398N , SSD20P06-135D , SSD30N10-50D , SSE90N06-30P , SSF1320N , SSF1331P , SSG0410 , SSG4463P , SSG4492N , SSG4920N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved