Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KP775V - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KP775V

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 150

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj): 125

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KP775V (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.016

WYTWÓRCA:

CIAŁO: KT282

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KP784A , KP796A , KP7128A , 2P525A-5 , 2P771A , 2P7172A , 2N7002KDW , SCG3019 , SMG2301P , SMG2306A , SMG2340NE , SMG2343P , SMG2358N , SMG2390N , SMS840 , SSD15N10 , SSD95N03 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved