Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KP750B1 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KP750B1

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 125

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 150

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 18

Ograniczenie temperatury (Tj): 125

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KP750B1 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.18

WYTWÓRCA:

CIAŁO: KT90

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KP750V , KP751A , KP751A1 , KP751V1 , KP771A , KP780B9 , 2P7145B-5-IM , 2P7234A , SMY50 , S2N7002 , SMG2301 , SMG2305 , SMG2305PE , SMG2310A , SMG2329P , SMG2336N , SMS4003K ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved