Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

KP509V9 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: KP509V9

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.4

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 200

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 14

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.1

Ograniczenie temperatury (Tj): 125

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora KP509V9 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 16

WYTWÓRCA:

CIAŁO: KT46A

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: KP511A , KP523A , KP523B , KP508A , KP723A , KP727A , KP746A1 , KP748A , KP771V , KP780B9 , 2P771A91 , 2P7145A-5-IM , 2P7145B-5-IM , 2P7233A-5 , SI2301 , AO3407 , SID20N06-90I ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved