Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RXR035N03 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RXR035N03

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 3.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RXR035N03 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 25

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 70

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.035

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSMT3

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RYC002N05 , RYM002N05 , RYU002N05 , RZF030P01 , RZM002P02 , KP501A , KP726B1 , KP737A , KP744V , KP746B , KP771B , KP780B , KP780A9 , KP7173A , KP796A , 2P525A9 , PT9926 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved