Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUZ908D - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUZ908D

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 250

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 14

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 16

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUZ908D (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUZ908DP , BUZ90A , BUZ92 , C2T206 , C2T211 , ECG454 , FDB6030L , FDB7030L , FDC654P , FDD5690 , FDN357N , FDN361AN , FDP4030L , FDP6030L , FDR838P , FDS3570 , FDS6961A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved