Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RU1E002SP - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RU1E002SP

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.25

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RU1E002SP (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 6

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 10

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.9

WYTWÓRCA:

CIAŁO: UMT3F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RU1L002SN , RUE002N02 , RUE002N05 , RUL035N02 , RUM002N02 , RW1A020ZP , KP214A9 , KP504V , KP723V , KP727A , KP744B , KP745V , KP746A1 , KP746V1 , KP751A , KP751V , KP785A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved