Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RSQ020N03 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RSQ020N03

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RSQ020N03 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 9

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 40

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.096

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSMT6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RSQ045N03 , RSR020N06 , RSR025N03 , RSU002P03 , RT1A045AP , RTF016N05 , RW1A013ZP , RW1C025ZP , RZR020P01 , KP501A , KP723B , KP726A1 , KP726B1 , KP731B , KP742B , KP743A1 , KP750V1 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved