Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RSC002P03 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RSC002P03

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.25

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RSC002P03 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 6

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 10

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.9

WYTWÓRCA:

CIAŁO: SST3_SOT23

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RSD050N06 , RSD080N06 , RSD080P05 , RSD160P05 , RSD175N10 , RSH065N06 , RTF015N03 , RTQ035N03 , RUQ050N02 , RW1A020ZP , RZQ050P01 , ZDS020N60 , KP214A9 , KP502A , KP523A , KP507A , KP742A ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved