Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RP1E090RP - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RP1E090RP

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 2

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 30

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 9

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RP1E090RP (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 30

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 360

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.013

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MPT6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RP1E090XN , RP1E100XN , RP1E125XN , RQ1A060ZP , RQ1A070AP , RRF015P03 , RSF015N06 , RSJ300N10 , RT1A060AP , RTF016N05 , RUM002N05 , RUU002N05 , RW1A013ZP , RW1C015UN , RYM002N05 , RZF020P01 , KP511B ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved