Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RAQ045P01 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RAQ045P01

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 1.25

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 12

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 8

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RAQ045P01 (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 60

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 350

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.022

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TSMT6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RCD040N25 , RCD060N25 , RCD075N20 , RCJ450N20 , RCX050N25 , RHK005N03 , RQ1E100XN , RRH100P03 , RSD200N10 , RSH065N06 , RT1A050ZP , RT1E050RP , RTF015N03 , RTQ020N03 , RUE002N02 , RUF025N02 , RYE002N05 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved