Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

R5205CND - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: R5205CND

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 40

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 525

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora R5205CND (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 25

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 180

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.3

WYTWÓRCA:

CIAŁO: CPT3

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: R5207AND , R6006AND , R6006ANX , R6010ANX , R6012ANJ , R6018ANX , RCX450N20 , RK7002B , RQ1C065UN , RRF015P03 , RSD200N05 , RSF010P05 , RSF015N06 , RSJ10HN06 , RSR020N06 , RSU002N06 , RUC002N05 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved