Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

FKV550N - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: FKV550N

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 50

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora FKV550N (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.015

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220F

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: FKV550T , FKV660S , FLD470 , 2SK3018 , 2SK3018UB , R5009ANJ , R6018ANJ , R6025ANZ , RCX080N25 , RHK005N03 , RQ1A070ZP , RQ1E070RP , RQ1E100XN , RRH075P03 , RSD080N06 , RSD150N06 , RSR010N10 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved