Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

MCH6603 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: MCH6603

Technologia: MOSFET

Rodzaj: P

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 50

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 10

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 0.14

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora MCH6603 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 23

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MCPH6

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: SCH1333 , SFT1345 , VEC2415 , MCH3914 , MCH5908 , 2SK3710 , R5007ANX , R5011FNX , R6012FNX , R6018ANX , RCX080N20 , RCX160N20 , RCX450N20 , RJK005N03 , RP1E100XN , RP1L080SN , RSD050N10 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved