Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BBL4001 - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BBL4001

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 35

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 60

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 74

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BBL4001 (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0061

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220ML

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BMS3003 , BMS4003 , BXL4001 , CPH5617 , CPH6354 , EFC4612R , 2SK3199 , EKV550 , 2SK3019EB , R5009ANJ , R6012ANX , R6015ANZ , R6018ANJ , R6020ANZ , RCD060N25 , RCJ330N25 , RP1E100RP ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved