Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUZ900DP - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUZ900DP

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 250

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 160

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 16

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUZ900DP (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 950

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.75

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3PBL

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUZ900P , BUZ901 , BUZ901D , BUZ902 , BUZ902D , BUZ905D , ECG221 , F5018 , FDB4020P , FDB6035AL , FDC653N , FDC658P , FDD5680 , FDD6670A , FDG6304P , FDN338P , FDR836P ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved