Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RQK0201QGDQA - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RQK0201QGDQA

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 0.8

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 20

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 4.5

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RQK0201QGDQA (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.03

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RQK0202RGDQA , RQK0204TGDQA , RQK0301FGDQS , RQK0601AGDQS , RQK0603CGDQA , RQK2001HQDQA , 2SJ351 , RQA0008RXDQS , 2SK3836 , 2SK4194LS , CPH6355 , ECH8672 , ECH8675 , EMH2411R , SFT1345 , CPH6904 , FKV575 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved