Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RJK5030DPD - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RJK5030DPD

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 41.7

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 500

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RJK5030DPD (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 20

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 60

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 1.6

WYTWÓRCA:

CIAŁO: MP3A

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RJK5030DPP-M0 , RJK5033DPD , RJK5033DPP-M0 , RJK6011DJE , RJK6012DPE , RJK6022DJE , RQJ0203WGDQA , RQJ0304DQDQS , RQK0604IGDQA , RQK2001HQDQA , 2SK1058 , 2SJ161 , 2SJ351 , RQA0005QXDQS , 2SK3824 , 2SK3830 , BMS3004 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved