Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RJK2511DPK - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RJK2511DPK

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 200

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 250

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 30

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 65

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RJK2511DPK (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 200

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 690

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.028

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO3P

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RJK2555DPA , RJK3008DPK , RJK4002DPP-M0 , RJK4012DPE , RJK4013DPE , RJK4518DPK , RJK6020DPK , RJK6026DPE , RJL6020DPK , RQJ0204XGDQA , RQK0603CGDQS , RQK0607AQDQS , RQK0609CQDQS , RJK0362DSP , 2SK216 , 2SJ79 , 2SK3823 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved