Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RJK1053DPB - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RJK1053DPB

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 65

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 100

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 25

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RJK1053DPB (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 5.6

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 508

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.013

WYTWÓRCA:

CIAŁO: LFPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RJK1054DPB , RJK1056DPB , RJK1211DNS , RJK1525DPE , RJK1525DPF , RJK1555DPA , RJK4515DPK , RJK5013DPE , RJK6014DPK , RJK6022DJE , RJL6018DPK , RQJ0201UGDQA , RQJ0203WGDQA , RQJ0303PGDQA , RQK0204TGDQA , RQK0303MGDQA , 2SK215 ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved