Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

RJK0455DPB - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: RJK0455DPB

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 60

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 40

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs):

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 45

Ograniczenie temperatury (Tj):

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora RJK0455DPB (Datasheet)

Czas narastania (Fr):

Pojemnośc drenu (Cd), pf:

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 0.0031

WYTWÓRCA:

CIAŁO: LFPAK

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: RJK0456DPB , RJK0629DPK , RJK0629DPN , RJK0654DPB , RJK0655DPB , RJK0853DPB , RJK1536DPN , RJK2006DPF , RJK4015DPK , RJK4518DPK , RJK6013DPE , RJK6018DPK , RJK6020DPK , RJK6025DPD , RJL5015DPK , RJL6012DPE , RQK0203SGDQA ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved