Parametry tranzystorów MOSFET
 
 

Parametry tranzystorów MOSFET

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe



Wpisz pełny lub częściowy numer części producenta z minimum 3 liter lub cyfr

BUZ50A - Tranzystor MOSFET. Arkusz. Parametry i charakterystyki.

Typ: BUZ50A

Technologia: MOSFET

Rodzaj: N

Dopuszczalne straty mocy (Pd): 75

Dopuszczalne napięcie dren-źródło (Uds): 1000

Maksymalne dopuszczalne napięcie dren-bramka (Udg):

Maksymalne dopuszczalne napięcie bramka-źródło (Ugs): 20

Dopuszczalny prąd drenu (Id): 2.5

Ograniczenie temperatury (Tj): 150

Szukać zamiennik i pdf opis tranzystora BUZ50A (Datasheet)

Czas narastania (Fr): 40

Pojemnośc drenu (Cd), pf: 70

Rezystancja statyczna włączenia (Rds), Om: 5

WYTWÓRCA:

CIAŁO: TO220AB

Zastosowanie tranzystorów MOSFET:

Zobacz także: BUZ50A-220M , BUZ50A-220TM , BUZ50ASM , BUZ50B-220SM , BUZ50BSM , BUZ71AFI , BUZ905 , BUZ906D , C2T213 , ECG454 , FBD5690 , FDB5690 , FDB6030L , FDB6670AL , FDC633N , FDC638P , FDG6303N ,

 

Parametry tranzystorów bipolarnych Parametry MOSFET Parametry IGBT Ciala tranzystorów Stronу internetowe

 

 
© 2007 All Rights Reserved